وابستگی رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی به محل اتصال هادی ها و میدان مغناطیسی اعمالی
نویسندگان
چکیده
در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسانش آنها در غیاب میدان کاملاً بر هم منطبق هستند، از هم جدا گردند. بررسی نانو حلقه های شامل مولکول بنزن دوتایی نشان می دهد که تغییر مکان این حلقه های بنزنی در نانو حلقه، باعث جابه جایی ضد تشدیدها در نمودار رسانش می شود.
منابع مشابه
وابستگی رسانش الکترونی یک نانو‌حلقه کربنی به محل اتصال هادی‌ها و میدان مغناطیسی اعمالی
In this paper, we studied the electronic conductance of a carbon nanoring using Green’s function method at the tight-binding approach for different positions of contacts in the presence and absence of magnetic field. The results show that as the conductors approch in the nanoring, the tunneling conductance in the gap region improves. Moreover, applying the magnetic field dramatically influences...
متن کاملوابستگی مغناطورسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی به اندازه ی آن
در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...
متن کاملاثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
In this paper, we calculate the spin-dependent conductance of ferromagnetic quantum wire in the presence of one or two defects by using Green's function method at the tight-binding approach. We study the effect of rotation of defect magnetic moment on the system conductance. The results show that in the magnetic wire, independent of existence or absence of defect, the allowed energy region shi...
متن کاملوابستگی مغناطورسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی به اندازه ی آن
در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...
متن کاملبررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه‌ای
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره‌ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می‌شود، بررسی می‌شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک‌ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی‌های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی‌های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آنها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...
متن کاملاثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایرانجلد ۱۵، شماره ۴، صفحات ۳۸۳-۳۸۹
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023